Число уравнений, составленных по первому закону Кирхгофа равно числу узлов рассчитываемой схемы, уменьшенное на единицу (так как один из узлов схемы является узлом зависимым). Число уравнений, составленных по второму закону Кирхгофа, равно числу неизвестных токов за вычетом числа уравнений, составленных по первому уравнению Кирхгофа.

Силовой модуль IGBT - новый перспективный элемент электроники. Он создан на основе комбинации биполярных транзисторов с полевыми. Статическая вольтамперная характеристика модуля может быть представлена в виде двух отрезков прямых (рисунок 4.38,а). горизонтальный участок - выключенное состояние модуля, наклонный - включенное. Наклон последнего задается сопротивлением устройства во включенном состоянии. Остаточное напряжение на малых токах учитывается параметром Vf (как у диода). Внутренняя структура модуля показана на рисунке 4.38,б.


Рисунок 4.38 - Вольтамперная характеристика и внутренняя структура модуля IBGT

Он представляет собой ключ, имеющий некоторое сопротивление и индуктивность (они вводятся в окне параметров блока) и управляющий элемент, который по сигналу пришедшему извне открывает или закрывает ключ. Результат моделирования приведен на рисунке 4.39.

Рисунок 4.39 - Ток нагрузки и широтно-модулированное напряжение на нагрузке

Второй закон Кирхгофа: Алгебраическая сумма падений напряжений в любом замкнутом контуре равна алгебраической сумме ЭДС вдоль этого контура.
Моделирование цепей переменного тока