Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
Для собственного полупроводника концентрация свободных носителей заряда в зависимости от температуры определяется выражением
n=A . EXP(- Wo/2kT),
где
- n - концентрация носителей заряда;
Wo - ширина запрещенной зоны;
- k постоянная Больцмана;
- A константа, зависящая оттемпературы;
Для примесных полупроводников
n1=B . EXP( Wп/2kT),
где
Wп - энергия ионизации примеси;
- В - константа, не зависящая от температуры.
При увеличении концентрации носителей заряда в полупроводниках выше определенного предела она практически перестает зависеть от температуры. Для электронов критическая концентрация имеет порядок 1025 м-3. Такие полупроводники называются вырожденными.
|
Так, используя глубокий акцептор хром можно получить арсенид галлия с удельным сопротивлением до 106 Ом.м. Такие полупроводники относятся к высокоомным компенсированным.